SI4936CDY-T1-GE3

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SI4936CDY-T1-GE3概述

VISHAY  SI4936CDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.8 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 3 V

The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for low current DC-to-DC conversion and notebook system power applications.

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Halogen-free
.
TrenchFET® power MOSFET

欧时:
### 双 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N T/R


Allied Electronics:
SI4936CDY-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 5 A, 30 V, 8-Pin SOIC


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
双 N 沟道 30 V 0.04 Ohm 2.3 W 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# VISHAY  SI4936CDY-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 5.8 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 3 V


SI4936CDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.033 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2.3 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 325pF @15VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI4936CDY-T1-GE3
型号: SI4936CDY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4936CDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.8 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 3 V
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