SI4914BDY-T1-GE3

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SI4914BDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1700@Channel 1|2000@Channel 2mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.7 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4914BDY-T1-GE3
型号: SI4914BDY-T1-GE3
描述:双 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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