SI4816BDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0093 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 1.25 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 5.80 A
上升时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
在线购买SI4816BDY-T1-E3
型号： SI4816BDY-T1-E3
描述：VISHAY SI4816BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, 双路 N 通道, 30V, 0.0093Ω
替代型号SI4816BDY-T1-E3
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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