SI5933CDC-T1-E3

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SI5933CDC-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.222 Ω

极性 Dual P-Channel

耗散功率 1.3 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -3.70 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 1206

外形尺寸

封装 1206

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI5933CDC-T1-E3
描述:双P通道20 - V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 20-V D-S MOSFET

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