SI4943BDY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4943BDY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.019 Ω

极性 Dual P-Channel

耗散功率 1.1 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -8.40 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

符合标准

RoHS标准 Exempt

数据手册

在线购买SI4943BDY-T1-GE3

型号： SI4943BDY-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：Trans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8Pin SOIC N T/R

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