对比图
型号 SI4943BDY-T1-GE3 SI4943CDY-T1-GE3
描述 Trans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8Pin SOIC N T/RVISHAY SI4943CDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -8 A, -20 V, 0.0275 ohm, -4.5 V, -1 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
引脚数 8 8
封装 SOIC SOIC-8
安装方式 - Surface Mount
漏源极电阻 0.019 Ω 0.0275 Ω
极性 Dual P-Channel Dual P-Channel
耗散功率 1.1 W 3.1 W
漏源极电压(Vds) -20.0 V -
连续漏极电流(Ids) -8.40 A -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
针脚数 - 8
封装 SOIC SOIC-8
长度 - 4.9 mm
宽度 - 3.9 mm
高度 - 1.75 mm
RoHS标准 Exempt RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
工作温度 - -50℃ ~ 150℃
包装方式 - Tape & Reel (TR)