SI4830CDY-T1-E3

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SI4830CDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 30.0 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 12 ns

下降时间 10 ns

封装参数

引脚数 8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI4830CDY-T1-E3
描述:双N通道30 -V ( DS ) MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V D-S MOSFET with Schottky Diode

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