SI4834CDY-T1-E3

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SI4834CDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 2.00 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 10.0 ns

输入电容Ciss 950pF @15VVds

额定功率Max 2.9 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4834CDY-T1-E3
型号: SI4834CDY-T1-E3
描述:MOSFET 30V 8A 2.9W 20mohm @ 10V

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