SI4622DY-T1-E3

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SI4622DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 2458pF @15VVds

额定功率Max 3.3W, 3.1W

下降时间 11 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4622DY-T1-E3
型号: SI4622DY-T1-E3
描述:双N通道30 -V ( DS ) MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V D-S MOSFET with Schottky Diode

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