SIZ728DT-T1-GE3

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SIZ728DT-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.0063 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 27 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 25 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 PowerPAIR

外形尺寸

封装 PowerPAIR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIZ728DT-T1-GE3
型号: SIZ728DT-T1-GE3
描述:VISHAY  SIZ728DT-T1-GE3  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 25V, 16A, POWERPAIR-6

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