SIZ704DT-T1-GE3

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SIZ704DT-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 3700@Channel 1|4500@Channel 2mW

漏源极电压Vds 30.0 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

上升时间 12 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 PowerPAIR-6x3

外形尺寸

宽度 3.7 mm

高度 0.55 mm

封装 PowerPAIR-6x3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIZ704DT-T1-GE3
型号: SIZ704DT-T1-GE3
描述:N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFETs

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