SPB21N50C3

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SPB21N50C3概述

Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
SPB21N50C3


欧时:
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艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin TO-263 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin2+Tab TO-263


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 500V 21A 190mOhm TO263-3 **


力源芯城:
500V,21A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 560V 21A TO-263


Win Source:
MOSFET N-CH 560V 21A TO-263


SPB21N50C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 560 V

额定电流 21.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.16 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

阈值电压 3 V

输入电容 2.40 nF

栅电荷 95.0 nC

漏源极电压Vds 560 V

连续漏极电流Ids 21.0 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 2400pF @25VVds

额定功率Max 208 W

下降时间 4.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: SPB21N50C3
描述:Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
替代型号SPB21N50C3
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