对比图
型号 SPB21N50C3 SPW21N50C3 SPI21N50C3
描述 Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON SPW21N50C3 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 190 mohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-262-3
额定电压(DC) 560 V 560 V 560 V
额定电流 21.0 A 21.0 A 11.6 A
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.16 Ω 190 mΩ 190 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 208 W 208 W 208 W
阈值电压 3 V 3 V -
输入电容 2.40 nF - 2.40 nF
栅电荷 95.0 nC - 95.0 nC
漏源极电压(Vds) 560 V 500 V 560 V
连续漏极电流(Ids) 21.0 A 21.0 A 21.0 A
上升时间 5 ns 5 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 208 W 208 W -
下降时间 4.5 ns 4.5 ns 4.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 208W (Tc) 208W (Tc) 208 W
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 500 V
长度 10.31 mm 16.13 mm 10.2 mm
宽度 9.45 mm 5.21 mm 4.5 mm
高度 4.57 mm 21.1 mm 9.45 mm
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended Not Recommended Not Recommended
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -