SA630D/01,112

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SA630D/01,112概述

NXP  SA630D/01,112  芯片, 射频开关, SPDT, DC-1GHZ, SOIC-8

模拟开关,

NXP 的模拟开关和多路复用器系列,适合多种用途。

### 开关和多路复用器,NXP


得捷:
IC RF SWITCH SPDT 1GHZ 8SO


欧时:
NXP 1GHz SPDT 射频开关 SA630D/01,112, 单单刀双掷, 2.8dB介入损耗, 24dB隔离, BiCMOS技术, 3 → 5.5 V


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芯片, 射频开关, SPDT, DC-1GHZ, SOIC-8


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RF Switch SPDT 0MHz to 1GHz 24dB 8-Pin SO Bulk


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# NXP  SA630D/01,112  RF SWITCH, SPDT, DC-1GHZ, SOIC-8


Win Source:
RF Switch IC General Purpose SPDT 1GHz 50 Ohm 8-SO


SA630D/01,112中文资料参数规格
技术参数

频率 1000 MHz

电源电压DC 3.00V min

供电电流 0.17 mA

针脚数 8

耗散功率 780 mW

测试频率 900 MHz

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 780 mW

电源电压 3V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.45 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Signal Processing, 工业, 成像, 视频和目视, Industrial, 成像, Imaging, Video & Vision, 信号处理, 视频和目视

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SA630D/01,112
型号: SA630D/01,112
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  SA630D/01,112  芯片, 射频开关, SPDT, DC-1GHZ, SOIC-8
替代型号SA630D/01,112
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