SA630D/01,112和SA630D/01,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SA630D/01,112 SA630D/01,118 SA630D/01

描述 NXP  SA630D/01,112  芯片, 射频开关, SPDT, DC-1GHZ, SOIC-8SA630 系列 宽带 单刀双掷 (SPDT) 开关 - SOIC-8RF 开关 IC SPDT SW -40 TO +85

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 RF射频器件RF射频器件主动器件

基础参数对比

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

频率 1000 MHz 1000 MHz -

供电电流 0.17 mA 0.17 mA -

针脚数 8 8 -

耗散功率 780 mW 780 mW 780 mW

测试频率 900 MHz 900 MHz -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 780 mW 780 mW -

电源电压 3V ~ 5.5V 3V ~ 5.5V -

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V -

电源电压(Min) 3 V 0.5 V -

输出接口数 - - 2

电源电压(DC) 3.00V (min) - -

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - 5 mm

高度 1.45 mm - 1.45 mm

重量 - 68.5336999999998 mg -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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