SPB12N50C3

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SPB12N50C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 560 V

额定电流 11.6 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.34 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 3 V

输入电容 1.20 nF

栅电荷 49.0 nC

漏源极电压Vds 560 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 11.6 A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 1200pF @25VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SPB12N50C3
型号: SPB12N50C3
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  SPB12N50C3  晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 560 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
替代型号SPB12N50C3
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SPB12N50C3

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意法半导体

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SPB12N50C3和STB12NM50N的区别

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