额定电压DC 560 V
额定电流 11.6 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.34 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 3 V
输入电容 1.20 nF
栅电荷 49.0 nC
漏源极电压Vds 560 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 11.6 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SPB12N50C3 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
STB12NM50N 意法半导体 | 功能相似 | SPB12N50C3和STB12NM50N的区别 |