对比图
描述 INFINEON SPB12N50C3 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 560 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STB12NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 550 V, 380 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 560 V 500 V
额定电流 11.6 A 11.0 A
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.34 Ω 380 mΩ
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 100 W
阈值电压 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 560 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 11.6 A 6.70 A, 11.0 A
上升时间 8 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 940pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 125 W 100 W
下降时间 8 ns 14 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) - 150 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 100W (Tc)
通道数 1 -
输入电容 1.20 nF -
栅电荷 49.0 nC -
封装 TO-263-3 TO-263-3
长度 10 mm -
宽度 9.25 mm -
高度 4.4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17