SPA20N60CFD中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.19 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 35 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20.7A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
额定功率Max 35 W
下降时间 6.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not Recommended
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买SPA20N60CFD
型号： SPA20N60CFD
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON SPA20N60CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 V
替代型号SPA20N60CFD
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPA20N60CFD Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IXFR36N60P IXYS Semiconductor | 功能相似 | SPA20N60CFD和IXFR36N60P的区别 |