IXFR36N60P和SPA20N60CFD

对比图

型号 IXFR36N60P SPA20N60CFD R6020ANX

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFR36N60P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 200 mohm, 10 V, 5 VINFINEON  SPA20N60CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 V10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-220 TO-220-3

耗散功率 208 W 35 W 85 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

上升时间 25 ns 15 ns 60 ns

输入电容(Ciss) 5800pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 2040pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 208 W 35 W 50 W

下降时间 22 ns 6.4 ns 70 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 208W (Tc) - 50W (Tc)

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 36.0 A - -

通道数 1 - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.2 Ω 0.19 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

阈值电压 5 V 4 V -

输入电容 5.80 nF - -

栅电荷 102 nC - -

漏源击穿电压 600 V - -

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20.7A -

隔离电压 2.50 kV - -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

封装 TO-247-3 TO-220 TO-220-3

长度 16.13 mm 10.65 mm -

宽度 5.21 mm 4.85 mm -

高度 21.34 mm 16.15 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Not Recommended Not For New Designs

包装方式 Tube - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -