INFINEON SPB03N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 600 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V
N-Channel 600 V 3.2A Tc 38W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2
得捷:
N-CHANNEL POWER MOSFET
立创商城:
N沟道 600V 3.2A
e络盟:
INFINEON SPB03N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 600 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin2+Tab TO-263
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin2+Tab TO-263
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 3.2A D2PAK
额定电压DC 650 V
额定电流 3.20 A
针脚数 3
漏源极电阻 1.26 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 38 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 3.20 A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 400pF @25VVds
额定功率Max 38 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 38000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPB03N60C3 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPB03N60C3ATMA1 英飞凌 | 功能相似 | SPB03N60C3和SPB03N60C3ATMA1的区别 |