对比图
描述 INFINEON SPB03N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 600 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 VD2PAK N-CH 600V 3.2A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3-2
引脚数 3 -
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 38 W 38 W
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 3.20 A 3.2A
输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 38 W 38 W
耗散功率(Max) 38000 mW 38W (Tc)
额定电压(DC) 650 V -
额定电流 3.20 A -
针脚数 3 -
漏源极电阻 1.26 Ω -
阈值电压 3 V -
上升时间 3 ns -
下降时间 12 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
封装 TO-263-3 TO-263-3-2
长度 10 mm -
宽度 9.25 mm -
高度 4.4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -