SN7002N H6327中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 2.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 360 mW
阈值电压 1.4 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 3.2 ns
输入电容Ciss 45pF @25VVds
额定功率Max 360 mW
下降时间 3.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.10 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SN7002N H6327
型号： SN7002N H6327
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON SN7002N H6327. 晶体管, MOSFET, BRT, N沟道, 200 mA, 60 V, 2.5 ohm, 10 V, 1.4 V