SN7002N H6327

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SN7002N H6327中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 2.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 360 mW

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 3.2 ns

输入电容Ciss 45pF @25VVds

额定功率Max 360 mW

下降时间 3.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.10 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: SN7002N H6327
描述:INFINEON  SN7002N H6327.  晶体管, MOSFET, BRT, N沟道, 200 mA, 60 V, 2.5 ohm, 10 V, 1.4 V

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