INFINEON SPP11N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N80C3XKSA1, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
立创商城:
N沟道 800V 11A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# INFINEON SPP11N80C3XKSA1 Power MOSFET, N Channel, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
额定电压DC 800 V
额定电流 11.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.39 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 156 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1600pF @100VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 156W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Lighting, 照明, Communications & Networking, 电源管理, 通信与网络, Power Management, 消费电子产品, Consumer Electronics
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPP11N80C3XKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPP80R450P7XKSA1 英飞凌 | 类似代替 | SPP11N80C3XKSA1和IPP80R450P7XKSA1的区别 |
APT11N80KC3G 美高森美 | 功能相似 | SPP11N80C3XKSA1和APT11N80KC3G的区别 |