对比图
型号 IPP80R450P7XKSA1 SPP11N80C3XKSA1
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.38 ohm, 10 V, 3 VINFINEON SPP11N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.38 Ω 0.39 Ω
耗散功率 73 W 156 W
阈值电压 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V
上升时间 6 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 770pF @500V(Vds) 1600pF @100V(Vds)
下降时间 10 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 73W (Tc) 156W (Tc)
额定电压(DC) - 800 V
额定电流 - 11.0 A
极性 - N-Channel
连续漏极电流(Ids) - 11.0 A
封装 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.36 mm
宽度 - 4.57 mm
高度 - 9.45 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 -