SKP06N60XKSA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

SKP06N60XKSA1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 68000mW 3Pin3+Tab TO-220AB Tube

IGBT NPT 600 V 12 A 68 W 通孔 PG-TO220-3-1

得捷:
IGBT 600V 12A 68W TO220-3

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB

Win Source:
IGBT 600V 12A 68W TO220-3

SKP06N60XKSA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 68000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 200 ns

额定功率Max 68 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 68000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SKP06N60XKSA1

型号： SKP06N60XKSA1

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 68000mW 3Pin3+Tab TO-220AB Tube