STP20NM65N

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STP20NM65N概述

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STP20NM65N, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 650V 15A TO220


贸泽:
MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


力源芯城:
650V,15A,N沟道MOSFET


STP20NM65N中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 125 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 15A

上升时间 13.5 ns

输入电容Ciss 1280pF @50VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STP20NM65N
型号: STP20NM65N
描述:N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STP20NM65N
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ST Microelectronics 意法半导体

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