对比图
描述 N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 -
漏源极电阻 0.16 Ω -
极性 N-CH N-CH
耗散功率 130 W 125 W
阈值电压 4 V -
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 18A 15A
上升时间 7.5 ns 13.5 ns
输入电容(Ciss) 1345pF @100V(Vds) 1280pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 130 W 125 W
下降时间 7.5 ns 21 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 130W (Tc) 125W (Tc)
长度 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm
高度 15.75 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99