N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低的设备通态电阻,降低了内部电容和栅极电荷,提供更快更高效的切换。
N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronics
STMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻,内部电容和栅极电荷降低,以便更快、更高效地切换。
得捷:
MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
欧时:
STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STL220N6F7, 260 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerFLAT封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
安富利:
MOS Power Transistors LV < 200V
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
儒卓力:
**N-CH 60V 260A 1,4mOhm PwFLAT5x6 **
耗散功率 188 W
输入电容 6500 pF
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 43 ns
输入电容Ciss 6600pF @25VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 4.8W Ta, 187W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerVDFN-8
长度 6.15 mm
宽度 5.2 mm
高度 0.95 mm
封装 PowerVDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99