STMICROELECTRONICS STP4N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 620 V, 1.7 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics
### MOSFET ，STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 620V 3.8A TO220
欧时:
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 Si N沟道 MOSFET STP4N62K3, 3.8 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3
e络盟:
# STMICROELECTRONICS STP4N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 620 V, 1.7 ohm, 10 V, 3.75 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
力源芯城:
620V,1.7Ω,3.8A,N沟道功率MOSFET
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 620 V
连续漏极电流Ids 3.8A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 450pF @50VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STP4N62K3 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STF4N62K3 意法半导体 | 类似代替 | STP4N62K3和STF4N62K3的区别 |
STP150N3LLH6 意法半导体 | 类似代替 | STP4N62K3和STP150N3LLH6的区别 |
STU3N45K3 意法半导体 | 功能相似 | STP4N62K3和STU3N45K3的区别 |