STP150N3LLH6和STP4N62K3

对比图

型号 STP150N3LLH6 STP4N62K3 IRF1503PBF

描述 N沟道30 V ， 0.0024欧姆， 80 A， DPAK ， IPAK ， TO- 220 N-channel 30 V, 0.0024 ohm , 80 A, DPAK, IPAK, TO-220STMICROELECTRONICS  STP4N62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 620 V, 1.7 ohm, 10 V, 3.75 VTrans MOSFET N-CH 30V 240A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 1 1

漏源极电阻 3.9 mΩ 1.7 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 70 W 330 W

漏源极电压(Vds) 30 V 620 V 30 V

漏源击穿电压 30 V - 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 80A 3.8A 75.0 A

上升时间 18 ns 9 ns 130 ns

输入电容(Ciss) 4040pF @25V(Vds) 450pF @50V(Vds) 5730pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 70 W 330 W

下降时间 46 ns 19 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 110W (Tc) 70W (Tc) -

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 75.0 A

产品系列 - - IRF1503

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 3.75 V -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 15.75 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -