Trans MOSFET N-CH 55V 200A 12Pin10+2Tab PowerSO T/R
表面贴装型 N 通道 200A（Tc） 300W（Tc） 10-PowerSO
得捷:
MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
贸泽:
MOSFET N-channel 55 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 200A 12-Pin10+2Tab PowerSO T/R
富昌:
STV200N55F3系列 N沟道 55 V 2.5 mOhm STripFET™ MOSFET - POWERSO-10
通道数 1
漏源极电阻 1.8 Ω
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
上升时间 150 ns
输入电容Ciss 6800pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 PowerSO-10
长度 7.6 mm
宽度 9.5 mm
高度 3.65 mm
封装 PowerSO-10
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STV200N55F3 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STV250N55F3 意法半导体 | 类似代替 | STV200N55F3和STV250N55F3的区别 |