STV200N55F3和STV250N55F3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STV200N55F3 STV250N55F3

描述 Trans MOSFET N-CH 55V 200A 12Pin(10+2Tab) PowerSO T/RN沟道55 V , 1.5毫欧, 250 A, PowerSO - 10的STripFET ™功率MOSFET N-channel 55 V, 1.5 mΩ, 250 A, PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 PowerSO-10 PowerSO-10

引脚数 - 10

通道数 1 -

漏源极电阻 1.8 Ω 0.0015 Ω

耗散功率 300 W 300 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

漏源击穿电压 55 V -

上升时间 150 ns 150 ns

输入电容(Ciss) 6800pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 300 W

下降时间 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc)

极性 - N-Channel

阈值电压 - 4 V

长度 7.6 mm -

宽度 9.5 mm -

高度 3.65 mm -

封装 PowerSO-10 PowerSO-10

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

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