STS26N3LLH6概述
STMICROELECTRONICS STS26N3LLH6 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 1 V
The is a DeepGATE™ N-channel Power MOSFET utilizes the 6th generation of design rules of STripFET™ VI technology, with a new gate structure. The device exhibits lowest RDS ON in all packages.
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- RDS ON x Qg industry benchmark
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- Extremely low ON-resistance RDS ON
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- Very low switching gate charge
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- High avalanche ruggedness
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- Low gate drive power losses
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- -55 to 150°C Operating junction temperature range
STS26N3LLH6中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0038 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.7 W
阈值电压 1 V
输入电容 4040 pF
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 4040pF @25VVds
额定功率Max 2.7 W
下降时间 46 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.7W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management, 电源管理, 工业
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
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型号： STS26N3LLH6
描述：STMICROELECTRONICS STS26N3LLH6 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 1 V