STV240N75F3

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STV240N75F3概述

N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 75V 240A 10POWERSO


欧时:
### N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 200A 12-Pin10+2Tab PowerSO T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 240A 10-Pin10+2Tab PowerSO T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 240A 10-Pin10+2Tab PowerSO T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 200A 12-Pin10+2Tab PowerSO T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STV240N75F3  MOSFET Transistor, N Channel, 240 A, 75 V, 0.0023 ohm, 10 V, 4 V


STV240N75F3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0023 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 75 V

上升时间 70 ns

输入电容Ciss 6800pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装 PowerSO-10

外形尺寸

长度 9.6 mm

宽度 9.5 mm

高度 3.75 mm

封装 PowerSO-10

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STV240N75F3
型号: STV240N75F3
描述:N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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