STFI6N80K5

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STFI6N80K5概述

N沟道 800V 4.5A

N-Channel 800V 4.5A Tc 25W Tc Through Hole I2PAKFP TO-281


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N沟道 800V 4.5A


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MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAKFP


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Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin3+Tab I2PAKFP Tube


STFI6N80K5中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 25 W

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 4.5A

上升时间 7.5 ns

输入电容Ciss 270pF @100VVds

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: STFI6N80K5
描述:N沟道 800V 4.5A
替代型号STFI6N80K5
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ST Microelectronics 意法半导体

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