对比图
描述 N-Ch 800V 4.5A 1.6Ω SuperMESH 5 Power Mosfet - TO-220FPN沟道 800V 4.5A
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-262-3
耗散功率 25 W 25 W
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V
上升时间 7.5 ns 7.5 ns
正向电压(Max) 1.5 V -
输入电容(Ciss) 270pF @100V(Vds) 270pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 25 W -
下降时间 16 ns 16 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 25W (Tc) 25W (Tc)
极性 - N-CH
连续漏极电流(Ids) - 4.5A
封装 TO-220-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅