N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
得捷:
MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT
立创商城:
STL45N65M5
欧时:
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22.5A 5-Pin Power Flat T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 22.5A 4-Pin PowerFLAT 8x8 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22.5A 4-Pin Power Flat T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 3.8A 5-Pin Power Flat T/R
极性 N-CH
耗散功率 2.8 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 22.5A
输入电容Ciss 3470pF @100VVds
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 160W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 PowerFLAT-8
长度 8 mm
宽度 8 mm
高度 0.95 mm
封装 PowerFLAT-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free