STMICROELECTRONICS STF6N65M2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
通孔 N 通道 650 V 4A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
得捷:
MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
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N沟道 650V 4A
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晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
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# STMICROELECTRONICS STF6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP
针脚数 3
漏源极电阻 1.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 20 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 226pF @100VVds
额定功率Max 20 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Industrial, 电源管理, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17