STMICROELECTRONICS STF28N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V 新
N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics
MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。
高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性
符合 AEC-Q101
欧时:
STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 Si N沟道 MOSFET STF28N60DM2, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
立创商城:
N沟道 600V 21A
得捷:
MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
e络盟:
晶体管, MOSFET, Mdmesh DM2, N沟道, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STF28N60DM2 MOSFET, N-CH, 600V, 21A, TO-220FP
针脚数 3
漏源极电阻 0.13 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 7.3 ns
输入电容Ciss 1500pF @100VVds
下降时间 9.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 16.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
STF28N60DM2 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STF25NM60ND 意法半导体 | 类似代替 | STF28N60DM2和STF25NM60ND的区别 |
STF23NM60ND 意法半导体 | 类似代替 | STF28N60DM2和STF23NM60ND的区别 |