对比图
型号 STF25NM60ND STF28N60DM2 STF23NM60N
描述 STMICROELECTRONICS STF25NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STF28N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V 新N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.13 Ω 0.13 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 40 W 30 W 35 W
阈值电压 4 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
上升时间 30 ns 7.3 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 2400pF @50V(Vds) 1500pF @100V(Vds) 2050pF @50V(Vds)
下降时间 40 ns 9.3 ns 36 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 40W (Tc) 30W (Tc) 35W (Tc)
通道数 1 - -
漏源击穿电压 600 V - -
连续漏极电流(Ids) 21A - 9.50 A
额定功率(Max) 40 W - -
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 16.4 mm 16.4 mm 9.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC版本 2014/06/16 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 - -