STB80NF03L-04-1

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STB80NF03L-04-1概述

N沟道30V - 0.0035 W¯¯ - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220的STripFET ™II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035 W - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET™ II POWER MOSFET

通孔 N 通道 30 V 80A(Tc) 300W(Tc) I2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this STB80NF03L-04-1 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 300000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -60 °C and a maximum of 175 °C.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK


STB80NF03L-04-1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 270 ns

输入电容Ciss 5500pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 95 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -60 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -60℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB80NF03L-04-1
型号: STB80NF03L-04-1
描述:N沟道30V - 0.0035 W¯¯ - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220的STripFET ™II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035 W - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET™ II POWER MOSFET
替代型号STB80NF03L-04-1
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