对比图
型号 STB100NF03L-03-1 STB80NF03L-04-1 IRL3103PBF
描述 N沟道30V - 0.0026 OHM -100A D2PAK / I2PAK / TO- 220的STripFET II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0026 OHM -100A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II POWER MOSFETN沟道30V - 0.0035 W¯¯ - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220的STripFET ™II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035 W - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET™ II POWER MOSFETINFINEON IRL3103PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 30 V, 12 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-220-3
通道数 1 - -
漏源极电阻 3.2 mΩ - 0.012 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 300 W 300W (Tc) 83 W
漏源击穿电压 30 V - -
栅源击穿电压 ±16.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 100 A - 64A
上升时间 315 ns 270 ns 120 ns
输入电容(Ciss) 6200pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 1650pF @25V(Vds)
下降时间 95 ns 95 ns 9.1 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -60 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 94W (Tc)
额定功率 - - 83 W
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 1 V
漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V
额定功率(Max) - 300 W 94 W
长度 10 mm - 10 mm
宽度 4.4 mm - 4.4 mm
高度 8.95 mm - 15.65 mm
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -60℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17