N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220FP
欧时:
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
立创商城:
STF20N65M5
贸泽:
MOSFET N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5
艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then STMicroelectronics&s; STF20N65M5 power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 30000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with mdmesh technology.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin TO-220FP Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
力源芯城:
650V,18A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N CH 650V 18A TO-220FP
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.16 Ω
耗散功率 30 W
阈值电压 4 V
输入电容 1434 pF
漏源极电压Vds 650 V
上升时间 7.5 ns
正向电压Max 1.5 V
输入电容Ciss 1345pF @100VVds
额定功率Max 30 W
下降时间 7.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 150 ℃
耗散功率Max 30W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 16.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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