对比图
型号 STF20N65M5 STI20N65M5 STFI20N65M5
描述 N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics650V,0.16Ω,18A,N沟道功率MOSFETN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-262-3
通道数 1 - -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.16 Ω 0.19 Ω -
耗散功率 30 W 130 W 30 W
阈值电压 4 V 4 V 3 V
输入电容 1434 pF - -
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
上升时间 7.5 ns 7.5 ns 7.5 ns
正向电压(Max) 1.5 V - -
输入电容(Ciss) 1345pF @100V(Vds) 1434pF @100V(Vds) 1345pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 30 W - -
下降时间 7.5 ns 7.5 ns 7.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温 150 ℃ - -
耗散功率(Max) 30W (Tc) 130W (Tc) 130W (Tc)
长度 10.4 mm - 10.4 mm
宽度 4.6 mm - 4.6 mm
高度 16.4 mm - 10.85 mm
封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-262-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free