STL8NH3LL

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STL8NH3LL概述

N沟道30V - 0.012ohm - 8A - PowerFLAT超低栅极电荷的STripFET功率MOSFET N-channel 30V - 0.012ohm - 8A - PowerFLAT Ultra low gate charge STripFET Power MOSFET

N-Channel 30V 8A Tc 2W Ta, 50W Tc Surface Mount PowerFlat™ 3.3x3.3


得捷:
MOSFET N-CH 30V 8A POWERFLAT


贸泽:
MOSFET N-Ch 30 Volt 8 Amp


艾睿:
Compared to traditional transistors, STL8NH3LL power MOSFETs, developed by STMicroelectronics, are able to both quickly switch between data lines as well as amplify the signals themselves. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin Power Flat T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 8A PWRFLAT3.3SQ


STL8NH3LL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 8.00 A

通道数 1

漏源极电阻 15 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 ±18.0 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 965pF @25VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 8.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerFLAT-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 6 mm

高度 0.81 mm

封装 PowerFLAT-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STL8NH3LL
型号: STL8NH3LL
描述:N沟道30V - 0.012ohm - 8A - PowerFLAT超低栅极电荷的STripFET功率MOSFET N-channel 30V - 0.012ohm - 8A - PowerFLAT Ultra low gate charge STripFET Power MOSFET
替代型号STL8NH3LL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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