对比图
描述 N沟道30V - 0.012ohm - 8A - PowerFLAT超低栅极电荷的STripFET功率MOSFET N-channel 30V - 0.012ohm - 8A - PowerFLAT Ultra low gate charge STripFET Power MOSFETN沟道30 V ， 0.015 Ω ， 9 A， PowerFLAT ？ （ 3.3x3.3 ）的STripFET ？ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.015 Ω, 9 A, PowerFLAT? (3.3x3.3) STripFET? V Power MOSFET
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 PowerFLAT-8 PowerVDFN-8
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 2 W 2W (Ta), 50W (Tc)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 8.00 A 9A
上升时间 32 ns 4.2 ns
输入电容(Ciss) 965pF @25V(Vds) 724pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 50 W
下降时间 8.5 ns 3.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2W (Ta), 50W (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc)
额定电压(DC) 30.0 V -
额定电流 8.00 A -
通道数 1 -
漏源极电阻 15 mΩ -
漏源击穿电压 30 V -
栅源击穿电压 ±18.0 V -
封装 PowerFLAT-8 PowerVDFN-8
长度 5 mm -
宽度 6 mm -
高度 0.81 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free