N沟道100V - 0.033Ω - 25A - DPAK低栅极电荷的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 100V - 0.033Ω - 25A - DPAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET
表面贴装型 N 通道 100 V 25A(Tc) 100W(Tc) DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
立创商城:
N沟道 100V 25A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 25 A, 0.033 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then STMicroelectronics&s; STD26NF10 power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 100000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
TO 252 DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 25A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
力源芯城:
100V,25A,N沟道MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.033 Ω
极性 N-CH
耗散功率 100 W
阈值电压 3 V
输入电容 1550 pF
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 25A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 1550pF @25VVds
额定功率Max 100 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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