对比图
型号 STD26NF10 STD60NF06T4 IRLR3105PBF
描述 N沟道100V - 0.033Ω - 25A - DPAK低栅极电荷的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 100V - 0.033Ω - 25A - DPAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 25A 3Pin(2+Tab) DPAK Tube
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.033 Ω 0.014 Ω 43 mΩ
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 100 W 110 W 57 W
阈值电压 3 V 4 V 3 V
输入电容 1550 pF - 710pF @25V
漏源极电压(Vds) 100 V 60 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 25A 60.0 A 25.0 A
上升时间 60 ns 108 ns 57.0 ns
输入电容(Ciss) 1550pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 710pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 100 W 110 W 57 W
下降时间 15 ns 20 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 100W (Tc) 110W (Tc) -
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 25.0 A
产品系列 - - IRLR3105
漏源击穿电压 - 60.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 6.6 mm 6.6 mm 6.73 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
高度 - 2.4 mm 2.39 mm
宽度 - 6.2 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17
ECCN代码 - EAR99 -