STMICROELECTRONICS STW88N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 84 A, 650 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
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得捷:
MOSFET N-CH 650V 84A TO247-3
欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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STW88N65M5
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MOSFET N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 650 V, 84 A, 0.024 ohm, TO-247, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 84A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
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Trans MOSFET N-CH 650V 84A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
富昌:
N-channel 650 V 0.024 Ω Flange Mount Mdmesh V Power MOSFET - TO-247
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Trans MOSFET N-CH 650V 84A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.5A; 450W; TO247-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 84A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
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**N-CH 650V 84A 29mOhm TO247-3 **
力源芯城:
650V,0.024Ohm,84A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 84A TO-247
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 84A TO-247
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.024 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 450 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 84A
输入电容Ciss 8825pF @100VVds
额定功率Max 450 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 450W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Communications & Networking, 工业, Industrial, 电源管理, 通信与网络
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR