STW88N65M5

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STW88N65M5概述

STMICROELECTRONICS  STW88N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 84 A, 650 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

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得捷:
MOSFET N-CH 650V 84A TO247-3


欧时:
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STW88N65M5


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MOSFET N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5


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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 650 V, 84 A, 0.024 ohm, TO-247, 通孔


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Trans MOSFET N-CH Si 650V 84A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


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Trans MOSFET N-CH 650V 84A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


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N-channel 650 V 0.024 Ω Flange Mount Mdmesh V Power MOSFET - TO-247


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Trans MOSFET N-CH 650V 84A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.5A; 450W; TO247-3


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Trans MOSFET N-CH Si 650V 84A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


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**N-CH 650V 84A 29mOhm TO247-3 **


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MOSFET N-CH 650V 84A TO-247


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MOSFET N-CH 650V 84A TO-247


STW88N65M5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.024 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 450 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 84A

输入电容Ciss 8825pF @100VVds

额定功率Max 450 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 450W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Communications & Networking, 工业, Industrial, 电源管理, 通信与网络

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

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型号: STW88N65M5
描述:STMICROELECTRONICS  STW88N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 84 A, 650 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 V

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