STMICROELECTRONICS STF23NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
The is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low ON-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
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- The worldwide best RDS ON area amongst the fast recovery diode device
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- 100% Avalanche tested
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- Low gate input resistance
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- High dV/dt and avalanche capabilities
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 35 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 19.5A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 2050pF @50VVds
额定功率Max 35 W
下降时间 42 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 35W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
宽度 4.6 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Industrial, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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